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PT124G-3500-60/60J 哈氏合金單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊，能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償，能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。

型號(hào)：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-60/60J 不銹鋼單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊，能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償，能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。

型號(hào)：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-60/60J 316L單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊，能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償，能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。

型號(hào)：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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PT124G-3500-60/60J高穩(wěn)定單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊，能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償，能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。

型號(hào)：PT124G-3500

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PT124G-3500-60/60J耐高溫單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊，能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償，能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。

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PT124G-3500-60/60J高精度單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊，能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償，能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。

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PT124G-3500-60/60JMEMS技術(shù)單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊，能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償，能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。

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PT124G-3500-60/60J OEM單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過(guò)載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號(hào)處理模塊，能實(shí)現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償，能提供*的穩(wěn)定性和測(cè)量高精度。

型號(hào)：PT124G-3500

更新日期：2024-12-02

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